[拼音]fù zǔ

用词语负阻造句

• 本文提出了一种温度系数可以设定的负阻电路。
• 最后利用电荷积累效应解释了负阻区本征双稳态特性。
• 众所周知，“负阻特性”可以被应用在产生震荡的电路中。
• 研究了一种利用耦合负阻法制作微波有源带通滤波器的方法。
• 本文探讨具有两个负阻区的微分负阻器件的电路合成法实现问题。
• 光电双向负阻晶体管(PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件。
• 发现I—V特性曲线在高真空中呈现负阻特征，在大气中表现为记忆特征。
• 模拟分析表明，一种反向势垒的存在及其击穿，应是引起负阻现象的原因。
• 本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究，给出了器件等效电路。
• 本文用小信号理论计算了其负阻和噪声性能，并进行了大信号性能的近似分析。
• 由于光电负阻器件具有双稳和自锁特性，这种非线性光耦合器具有响应保持功能。
• 本文从双向负阻晶体管(BNRT)的等效电路出发，导出了BNRT的工作模式。
• 本文报道了MIM隧道二极管的发光和负阻现象，用梯形势垒计算了电流-电压特性。
• 该结构降低了器件的寄生电容，改善了敏感薄膜的负阻特性，适用于共振隧穿效应陀螺。
• 通过若干应用实例说明上述工具对处理微波有源网络（特别是包含负阻电路）问题的有效性。
• 将发光器件和硅光电负阻器件面对面地封装在一起，其间实现电隔离，构成一种新型光耦合器。
• 模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有S型负阻特性的两端器件。
• 探讨并分析具有光致负阻特性的双极型硅光电三极管阵列中各单元器件设置偏流隔离电阻的必要性。
• 全面介绍了从硅光电负阻器件上发现的几种光电控制功能，为进一步开发应用这类器件奠定了基础。
• 在I-V特性曲线上具有双微分负阻的三稳态共振隧穿器件，室温下可以达到较高的电流峰谷比5。
• 根据BNRT不同工作状态下的内部电势、电子浓度和空穴浓度分布，解释了其S型负阻特性的产生机理。
• 最后，对不同结构和工艺参数的三端bnrt进行了模拟，总结出器件结构和工艺参数对负阻特性的影响。
• 在对负阻元器件特性进行研究和分析的基础上引出负阻效应的概念，对负阻效应产生方式和原理进行了论述。
• 本文提出的浮地频变负阻新电路具有有源和无源元件少、灵敏度低、稳定性好、无需调整和易于实现等优点。
• 为了使砷化镓场效应管具有建立振荡所需的负阻，我们将其配置为共源结构并在漏极添加合适的开路微带线。
• 从变量约束关系出发分析了负阻元件存在的可能性及其物理性质，阐述了负阻元件与负阻抗变换器的关系及其应用。
• 在此实验基础上研制得到一种双向两端S型负阻器件(TBNRD器件).本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。
• 对一个SOI结构的负阻效应和瞬态特性的模拟结果表明，该程序能够正确模拟器件发热情况以及自热对器件特性的主要影响。
• 对负阻效应在实际几种元器件中的存在及特性进行了研究和证明，重点研究了利用运算放大器构成的负阻抗变换器的变换阻抗性质。